르네사스, AI 데이터센터용 100V 저전압 GaN FET 4종 출시
26일 전
르네사스가 2026년 10월 6일 100V E-mode GaN 기반 디스크리트 전력 트랜지스터 4종으로 구성된 첫 저전압 GaN FET 제품군을 출시했다고 발표함.
회사 설명으로는 AI 서버·산업 인프라가 800VDC 배전과 48V 버스로 넘어가면서, 중간 전력변환 단계도 MHz급 스위칭이 필요한 방향임. 그래서 이 제품군은 단순 소자 추가라기보다 서버 전원단의 손실과 부피를 줄이려는 쪽에 붙는 제품으로 보면 됨.
르네사스는 시스템 수준에서 스위칭 손실을 최대 40~70% 낮추고 전력 밀도를 최대 2배로 높일 수 있다고 제시함. 다만 이 수치는 애플리케이션 요구사항과 전력변환 아키텍처에 따른 제품 설명 수치임.
21
투자 유의사항
모든 투자 의사결정에 대한 책임은 전적으로 투자자 본인에게 있으며, 서비스 내 정보를 활용해 발생한 금전적 손실이나 법적 문제에 대해서 작성자와 당사는 어떠한 법적 책임도 지지 않습니다.