삼성, 엔비디아 NVHBM 베이스다이에 TSMC 3나노 활용

💾 [단독] 삼성, 엔비디아 NVHBM 베이스다이에 TSMC 공정 활용 결정 [서방 반도체 동맹 형성] - 서울경제는 18일 업계 관계자를 인용해, 삼성전자가 엔비디아용 맞춤형 HBM ‘NVHBM’의 베이스다이 생산에 TSMC 3나노 공정을 활용하기로 결정했다 보도 - 삼성은 데이터를 저장하는 D램 코어다이와 HBM 공급을, TSMC는 신호를 제어하는 베이스다이의 위탁생산을 맡게 됨 - 양사가 HBM 제조 단계부터 협력하는 것은 처음 - 엔비디아는 삼성·SK하이닉스·마이크론에 베이스다이는 TSMC 3나노, 코어다이는 각사의 1c D램 공정으로 통일 요청 - 공급사별 성능 일관성을 높이고 검증 부담을 줄이려는 목적 - TSMC CAPA 부족 대비용 NVHBM 베이스다이 삼성 생산도 검증 중 - 표준 HBM & AMD 등 타 고객사용 맞춤형 HBM은 삼성 자체 생산 유지 → 삼성의 향후 방향성 자체는 파운드리 포함 기존의 턴키 솔루션에서 벗어나, HBM 등 메모리에 집중하는 것으로 나아갈 전망입니다. → 다만 TSMC의 CAPA가 부족할 시 삼성도 베이스다이 부족분을 생산할 수 있어, 파운드리 부문이 완전히 꺾이는 것은 아닙니다. → 어쨌든 기존 메모리 업계에서는 SK하이닉스-엔비디아-TSMC 삼각동맹 & 삼성전자-AMD 동맹 구도였으나, 이제는 다섯 회사가 모두 하나의 진영으로 편성되고 있습니다. → "엔비디아·AMD → 삼성전자·SK하이닉스 → TSMC 서방 반도체 동맹"으로 이해하시면 될 듯합니다. 🔗 서울경제 🔍 지엘리서치